DK8510+DK8318 PD100W 单C PFC+AHB认证方案
DK8510+DK8318
PD100W
DK8510+DK8318 方案描述
本方案以东科半导体 DK8318(内置 GaN PFC 前级)搭配 DK8510(AHB 后级)构成 PFC+AHB 两级快充电源,单口 Type-C 输出 PD100W,面向笔记本、平板与大功率数码设备适配器开发参考;整机采用主板四层板配合 AC 输入小板、CBB 电容小板与单 C 协议小板的多板拼板结构,便于布置安规爬电距离并压缩主板面积;随附主板与协议小板 BOM、变压器与电感参数、主板及协议原理图、多块小板 PCB 共 10 份资料。 前级 DK8318 内置 700V/101mΩ 氮化镓开关管,ESOP-16L 封装,工作于 CRM 与 DCM 模式,重载临界导通、轻载无缝切换断续导通,支持谷底导通且无需辅助绕组即可退磁检测;具备输入功率补偿、输出电压分段与 85~265Vac 宽范围输入,高功率因数、低 THD;内置软启动、VCC 欠压锁定、输出过流、欠 / 过压、过温、旁路二极管短路与采样电阻开路保护;芯片待机 115Vac 下约 25mW、230Vac 下约 39mW,无需关断 PFC 即可满足相应能效等级。 后级 DK8510 集成双 700V 氮化镓功率管,DFN8×8 封装,典型导通电阻 330mΩ,最高 800kHz;依靠谐振腔实现原边 ZVS、副边 ZCS,回收漏感能量,降低开关损耗与应力并改善 EMI;内置自适应死区、全程抖频、高压启动、X 电容与谐振电容放电、CS 负压采样;保护覆盖过载、输出过压、短路、VCC 过 / 欠压、VS 异常、初级过流与过温;变压器与 PFC 电感参数由随附规格表确定。 协议小板采用慧能泰 HUSB363 PD Source 控制器,支持 USB PD3.1 与 PPS,兼容 QC2.0/3.0、AFC、FCP、SCP、UFCS 与 BC1.2,集成 VBUS NMOS 驱动、VCONN 与 eMarker 检测,具备 CV/CC 及 OVP、OCP、SCP、OTP、UVP、CC/DPDM 过压与热关断保护;具体 PDO 档位以协议 BOM 与原理图为准;整机效率、PF、THD、待机、纹波、温升、尺寸与认证项目及证书编号以测试报告、BOM 及认证报告为准,本页未附整机测试报告与证书。
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